4 дюймдук SiC субстрат N-түрү

4 дюймдук SiC субстрат N-типтеги өзгөчөлөнгөн сүрөт

Кыска сүрөттөмө:

Semicera 4H-8H SiC пластинкаларынын кеңири спектрин сунуштайт. Көптөгөн жылдар бою биз жарым өткөргүч жана фотоэлектрдик тармактарга продукцияларды өндүрүүчү жана жеткирүүчү болуп келгенбиз. Биздин негизги өнүмдөрүбүзгө төмөнкүлөр кирет: кремний карбиди этч плиталары, кремний карбидинин кайык чиркегичтери, кремний карбид пластинкалары (PV & жарым өткөргүч), кремний карбид мешинин түтүктөрү, кремний карбидинин консоль калактары, кремний карбидинин патрондору, кремний карбидинин устундары, ошондой эле CVD жана CVD. TaC жабуулары. Көпчүлүк европалык жана америкалык рынокторду камтыйт. Биз сиздин Кытайдагы узак мөөнөттүү өнөктөшүңүз болууну чыдамсыздык менен күтөбүз.

Бизге электрондук кат жөнөтүү

Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

Кремний карбидинин (SiC) монокристаллдык материалы чоң диапазондун кеңдигине (~Si 3 эсе), жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүккө (~Si 3,3 эсеге же GaAs 10 эсеге), электрондун каныккан миграциясынын ылдамдыгына (~Si 2,5 эсе), жогорку бузулуу электр талаа (~Si 10 жолу же GaAs 5 эсе) жана башка өзгөчөлүктөр.

Semicera Energy кардарларды жогорку сапаттагы өткөргүч (өткөргүч), жарым изоляциялоочу (жарым изоляциялоочу), HPSI (жогорку тазалыктагы жарым изоляциялоочу) кремний карбид субстраты менен камсыздай алат; Мындан тышкары, биз бир тектүү жана гетерогендүү кремний карбид epitaxial барактар менен кардарларды камсыз кыла алат; Биз ошондой эле эпитаксиалдык баракчаны кардарлардын өзгөчө муктаждыктарына жараша ыңгайлаштыра алабыз жана минималдуу заказ саны жок.

Items	Өндүрүш	Изилдөө	Dummy
Crystal Parameters
Политип	4H
Бетти багыттоо катасы	<11-20 >4±0,15°
Электрдик параметрлер
Dopant	n-типтеги азот
Каршылык	0,015-0,025 Ом·см
Механикалык параметрлер
Диаметри	99,5 - 100мм
Калыңдыгы	350±25 мкм
Негизги жалпак багыт	[1-100]±5°
Негизги жалпак узундугу	32,5±1,5мм
Экинчи жалпак абалы	Негизги батирден 90° CW ±5°. кремний бети жогору
Экинчи жалпак узундук	18±1,5мм
TTV	≤5 мкм	≤10 мкм	≤20 мкм
LTV	≤2 мкм (5мм*5мм)	≤5 мкм (5мм*5мм)	NA
Жаа	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Warp	≤20 мкм	≤45 мкм	≤50 мкм
Алдыңкы (Si-бет) оройлугу (AFM)	Ra≤0,2нм (5мкм*5мкм)
Структура
Микропродукттун тыгыздыгы	≤1 эа/см2	≤5 эа/см2	≤10 эа/см2
Металл аралашмалары	≤5E10атом/см2		NA
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	NA
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	NA
Front Quality
Фронт	Si
Беттик бүтүрүү	Si-face CMP
Бөлүктөр	≤60ea/вафли (өлчөмү≥0,3μm)	NA
сызыктар	≤2ea/мм. Кумулятивдүү узундук ≤Diameter	Кумулятивдүү узундук≤2*Диаметр	NA
Апельсин кабыгы/чуңкурлары/тактары/сызыктар/ жаракалар/булгануу	Жок		NA
Edge чиптер / чегиндилер / сынык / алтылык плиталар	Жок		NA
Политип аймактары	Жок	Кумулятивдүү аянты≤20%	Кумулятивдүү аянты≤30%
Алдыңкы лазердик белгилөө	Жок
Артка сапаты
Артка бүтүрүү	C-бет CMP
сызыктар	≤5ea/mm,Кумулятивдик узундук≤2*Диаметр	NA
Арткы мүчүлүштүктөр (четиндеги чиптер/чыгымдар)	Жок
Артка оройлук	Ra≤0,2нм (5мкм*5мкм)
Артка лазердик белгилөө	1 мм (жогорку четинен)
Edge
Edge	Chamfer
Таңгактоо
Таңгактоо	Ички баштык азот менен толтурулат, ал эми сырткы баштык чаң сорулат. Мульти-вафельдуу кассета, эпи-даяр.
*Эскертүү: "NA" эч кандай суроону билдирет.