Description
Биздин компания камсыз кылатSiC каптоокөмүртек жана кремний камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине чөккөн молекулаларды алуу үчүн графиттин, керамиканын жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен технологиялык кызматтарды көрсөтөт.SiC коргоочу катмар.
Негизги өзгөчөлүктөрү
1. Жогорку температурадагы кычкылданууга каршылык:
кычкылданууга каршылык температура 1600 ℃ жогору болгондо дагы абдан жакшы.
2. Жогорку тазалык: жогорку температурада хлордоо шартында химиялык буу коюу жолу менен жасалган.
3. Эрозияга туруштук берүү: жогорку катуулук, компакт бети, майда бөлүкчөлөр.
4. Коррозияга туруктуулугу: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
CVD-SIC жабуунун негизги мүнөздөмөлөрү
| SiC-CVD касиеттери | ||
| Кристалл структурасы | FCC β фазасы | |
| тыгыздыгы | г/см³ | 3.21 |
| Катуулугу | Викерс катуулугу | 2500 |
| Дан өлчөмү | мкм | 2~10 |
| Химиялык тазалык | % | 99.99995 |
| Жылуулук сыйымдуулугу | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | МПа (RT 4-пункту) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ийилген, 1300℃) | 430 |
| Термикалык кеңейүү (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылуулук өткөрүмдүүлүк | (Вт/мК) | 300 |
