Биздин компания камсыз кылатSiC каптоокөмүртек жана кремний камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы Sic молекулаларын алуу үчүн CVD ыкмасы менен графиттин, керамиканын жана башка материалдардын бетине иштетүү кызматтарын көрсөтөт.SiC коргоочу катмарepitaxy баррель түрү гипнотик үчүн.
Негизги өзгөчөлүктөрү:
1 .Жогорку тазалыктагы SiC капталган графит
2. Жогорку жылуулук каршылык & жылуулук бирдейлиги
3. ЖакшыSiC кристалл капталганжылмакай бети үчүн
4. Химиялык тазалоого каршы жогорку туруктуулук
Негизги спецификацияларыCVD-SIC каптоо
| SiC-CVD касиеттери | ||
| Кристалл структурасы | FCC β фазасы | |
| тыгыздыгы | г/см³ | 3.21 |
| Катуулугу | Викерс катуулугу | 2500 |
| Дан өлчөмү | мкм | 2~10 |
| Химиялык тазалык | % | 99.99995 |
| Жылуулук сыйымдуулугу | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | МПа (RT 4-пункту) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ийилген, 1300℃) | 430 |
| Термикалык кеңейүү (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылуулук өткөрүмдүүлүк | (Вт/мК) | 300 |
