Semicera Semiconductor заманбап технологияларды сунуш кылатSiC кристаллдарыжогорку натыйжалуу пайдалануу менен өстүрүлөтPVT ыкмасы. Колдонуу мененCVD-SiCSiC булагы катары регенеративдик блоктордун жардамы менен биз 1,46 мм h−1 өсүү темпин жетиштик, микротүтүкчөлөрдүн жана дислокациянын тыгыздыгы төмөн болгон жогорку сапаттагы кристаллдын пайда болушун камсыз кылдык. Бул инновациялык процесс жогорку өндүрүмдүүлүккө кепилдик беретSiC кристаллдарыэлектр жарым өткөргүч өнөр жайында талап кылынган колдонмолор үчүн ылайыктуу.
SiC Crystal параметри (спецификация)
- Өсүү ыкмасы: Физикалык буу транспорту (PVT)
- Өсүү темпи: 1,46 мм с-1
- Кристаллдын сапаты: Жогорку, микротүтүкчөлөрү жана дислокация тыгыздыгы төмөн
- Материал: SiC (силикон карбиди)
- Колдонмо: Жогорку чыңалуу, жогорку кубаттуулук, жогорку жыштыктагы колдонмолор
SiC Crystal өзгөчөлүгү жана Колдонмо
Semicera Semiconductor's SiC кристаллдарыүчүн идеалдуужогорку натыйжалуу жарым өткөргүч колдонмолор. Кең тилкелүү жарым өткөргүч материал жогорку чыңалуу, жогорку кубаттуулук жана жогорку жыштыктагы колдонмолор үчүн идеалдуу. Биздин кристаллдар ишенимдүүлүгүн жана натыйжалуулугун камсыз кылуу, абдан катуу сапат стандарттарына жооп берүү үчүн иштелип чыкканэлектр жарым өткөргүч колдонмолору.
SiC Crystal Details
Майдаланган колдонууCVD-SiC блокторубаштапкы материал катары биздинSiC кристаллдарыкадимки ыкмаларга салыштырмалуу жогорку сапатты көрсөтөт. Өркүндөтүлгөн PVT процесси көмүртек кошулмалары сыяктуу кемчиликтерди азайтат жана тазалыктын жогорку деңгээлин сактап, кристаллдарыбыз үчүн абдан ылайыктуу кылат.жарым өткөргүч процесстерөтө тактыкты талап кылат.
