Semicera ар кандай компоненттер жана ташыгычтар үчүн атайын тантал карбид (TaC) каптоо менен камсыз кылат.Semicera алдыңкы каптоо процесси тантал карбидинин (TaC) каптоолоруна жогорку тазалыкка, жогорку температуранын туруктуулугуна жана жогорку химиялык толеранттуулукка жетишүүгө, SIC/GAN кристаллдарынын жана EPI катмарларынын продуктунун сапатын жакшыртууга мүмкүндүк берет (Графит менен капталган TaC сезгич), жана реактордун негизги компоненттеринин иштөө мөөнөтүн узартуу. Тантал карбидинин TaC каптоосун колдонуу четки көйгөйдү чечүү жана кристаллдын өсүшүнүн сапатын жакшыртуу болуп саналат, ал эми Semicera эл аралык алдыңкы деңгээлге чыгып, тантал карбидинин каптоо технологиясын (CVD) чечти.
Көп жылдык өнүгүүдөн кийин, Semicera технологиясын багындырдыCVD TaCилимий-изилдөө бөлүмүнүн биргелешкен аракети менен. SiC пластинкаларынын өсүү процессинде кемчиликтер оңой, бирок колдонуудан кийин пайда болотTaC, айырма олуттуу. Төмөндө TaC менен жана жок пластинкаларды, ошондой эле монокристаллдын өсүшү үчүн Semicera бөлүктөрүн салыштыруу келтирилген.
TaC менен жана жок
TaC колдонгондон кийин (оңдо)
Кошумчалай кетсек, Semicera компаниясынын TaC каптоочу буюмдарынын иштөө мөөнөтү SiC каптоосуна караганда узунураак жана жогорку температурага туруктуураак. Лабораториялык өлчөө маалыматтарынын узак убакыттан кийин, биздин TaC максималдуу 2300 градус Цельсийде узак убакыт бою иштей алат. Төмөндө биздин үлгүлөрүбүздүн айрымдары бар:
(а) PVT ыкмасы менен SiC монокристалл куймасын өстүрүүчү түзүлүштүн схемалык схемасы (б) үстүнкү TaC капталган үрөн кронштейнси (анын ичинде SiC уругу) (c) TAC капталган графит багыттоочу шакекчеси
-
Жогорку тазалыктагы кремний карбид кристалл кайык ташыгыч ...
-
Өркүндөтүлгөн LMJ microjet технологиясы лазер менен камсыз кылуу ...
-
EPI 3 1/4″ баррель реактору
-
Кремний карбиди үчүн жылуулук талаа материалы...
-
Кремний карбид менен капталган графит сусцептору...
-
Өндүрүш менен камсыздоо Ар кандай спецификациялар...