-
Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү процесси – Etch Technology
Вафлиди жарым өткөргүчкө айландыруу үчүн жүздөгөн процесстер талап кылынат. Эң маанилүү процесстердин бири бул оюу, башкача айтканда, пластинкага майда схемаларды оюу. Офорт процессинин ийгилиги белгиленген бөлүштүрүү диапазонунда ар кандай өзгөрмөлөрдү башкаруудан көз каранды жана ар бир оюу...Кененирээк окуу -
Плазмалык оюу жабдыктарындагы фокус шакекчелери үчүн идеалдуу материал: кремний карбиди (SiC)
Плазмалык оюу жабдууларында керамикалык компоненттер, анын ичинде фокус шакекчеси маанилүү ролду ойнойт. Фокус шакекчеси, пластинканын айланасында жайгаштырылган жана аны менен түздөн-түз байланышта, шакекчеге чыңалууну колдонуу менен плазманы вафлиге фокустоо үчүн абдан маанилүү. Бул уникалдуулукту жакшыртат...Кененирээк окуу -
Кремний карбидинин монокристалын иштетүүнүн пластинка бетинин сапатына тийгизген таасири
Жарым өткөргүчтүү электр приборлору энергетикалык электрондук системаларда негизги орунду ээлейт, айрыкча, жасалма интеллект, 5G байланышы жана жаңы энергетикалык унаалар сыяктуу технологиялардын тез өнүгүшүнүн шартында, алар үчүн иштөө талаптары ...Кененирээк окуу -
SiC өсүшү үчүн негизги негизги материал: тантал карбид каптоо
Азыркы учурда жарым өткөргүчтөрдүн үчүнчү муунунда кремний карбиди басымдуулук кылат. Анын приборлорунун наркынын структурасында субстрат 47%ды, ал эми эпитаксия 23%ти түзөт. Экөө чогуу болжол менен 70% ды түзөт, бул кремний карбидинин түзүлүшүнүн эң маанилүү бөлүгү...Кененирээк окуу -
Тантал карбиди менен капталган буюмдар материалдардын коррозияга туруктуулугун кантип жогорулатат?
Тантал карбид каптоо кыйла материалдардын коррозияга туруктуулугун жакшыртууга болот, көп колдонулган беттик тазалоо технологиясы болуп саналат. Тантал карбид каптоо ар кандай даярдоо ыкмалары аркылуу субстрат бетине тиркелиши мүмкүн, мисалы, химиялык буу туташтыруу, физикалык ...Кененирээк окуу -
Кечээ, Илим жана технологиялык инновациялар кеңеши Huazhuo Precision Technology өзүнүн IPOсун токтоткондугу жөнүндө жарыя чыгарды!
Эле Кытайда биринчи 8 дюймдук SIC лазердик күйгүзүү жабдууларын жеткирүү жарыяланды, бул да Цинхуанын технологиясы; Эмне үчүн алар материалдарды өздөрү алып коюшту? Бир нече сөз: Биринчиден, продуктылар өтө ар түрдүү! Бир караганда, эмне кылышканын билбейм. Учурда Х...Кененирээк окуу -
CVD кремний карбид каптоо-2
CVD кремний карбид каптоо 1. Эмне үчүн кремний карбид каптоо бар Эпитаксиалдык катмар эпитаксиалдык процесс аркылуу пластинанын негизинде өстүрүлгөн белгилүү бир кристаллдык жука пленка. Субстрат пластинкасы жана эпитаксиалдык жука пленкасы жалпысынан эпитаксиалдык пластиналар деп аталат. Алардын арасында...Кененирээк окуу -
SIC жабууну даярдоо процесси
Азыркы учурда, SiC каптоо даярдоо ыкмалары, негизинен, гел-sol ыкмасын, кыстаруу ыкмасын, щетка каптоо ыкмасын, плазма чачуу ыкмасын, химиялык буу реакция ыкмасын (CVR) жана химиялык буу коюу ыкмасын (CVD) камтыйт. Киргизүү ыкмасыБул ыкма жогорку температурадагы катуу фазанын бир түрү болуп саналат ...Кененирээк окуу -
CVD кремний карбид каптоо-1
CVD SiC деген эмне Химиялык бууларды түшүрүү (CVD) бул жогорку тазалыктагы катуу материалдарды өндүрүү үчүн колдонулган вакуумдук тундуруу процесси. Бул процесс көбүнчө пластинкалардын бетинде ичке пленкаларды түзүү үчүн жарым өткөргүч өндүрүшүндө колдонулат. CVD менен SiC даярдоо процессинде субстрат эксп...Кененирээк окуу -
SiC кристаллындагы дислокациянын структурасын рентгендик топологиялык сүрөткө тартуунун жардамы менен нурларды издөө симуляциясы менен талдоо
Изилдөөлөр фон Кремний карбидинин (SiC) колдонуунун мааниси: Кең тилкелүү жарым өткөргүч материал катары кремний карбиди өзүнүн эң сонун электрдик касиеттеринен улам (мисалы, чоңураак тилке, электрондун жогорку каныккан ылдамдыгы жана жылуулук өткөрүмдүүлүк) көптүн көңүлүн бурду. Бул таянычтар...Кененирээк окуу -
SiC монокристалл өсүш 3 урук кристалл даярдоо процесси
Өсүүнү текшерүүКремний карбиди (SiC) урук кристаллдары белгиленген процесстен кийин даярдалган жана SiC кристаллынын өсүшү аркылуу тастыкталган. Колдонулган өсүү платформасы 2200 ℃ өсүү температурасы, 200 Па өсүү басымы жана өсүү температурасы бар SiC индукциялык өсүү меши болгон.Кененирээк окуу -
SiC Single Crystal өсүшүндө урук кристалын даярдоо процесси (2-бөлүк)
2. Эксперименталдык процесс 2.1 Жабышкак пленканы бекемдөө СиC пластинкаларында клей менен капталган көмүртек пленкасын түз түзүү же графит кагазы менен байланыштыруу бир нече көйгөйлөргө алып келгени байкалды: 1. Вакуумдук шарттарда SiC пластиналарындагы жабышчаак пленка масштабдуу көрүнүшкө ээ болгон. кол коюу...Кененирээк окуу