SiC капталганГрафит жарым ай бөлүгүжарым өткөргүч өндүрүш процесстеринде, өзгөчө SiC эпитаксиалдык жабдуулар үчүн колдонулган негизги компоненти болуп саналат. Биз патенттелген технологиябыздын жарым ай бөлүгүн өтө жогорку тазалыкка, жакшы жабуунун бирдейлигине жана эң сонун кызмат мөөнөтүнө, ошондой эле жогорку химиялык туруктуулукка жана жылуулукка туруктуулукка ээ кылуу үчүн колдонобуз.
