Кремний карбид пластинкасычийки зат катары жогорку тазалыктагы кремний порошокунан жана жогорку тазалыктагы көмүртек порошокунан жасалган, ал эми кремний карбидинин кристаллдары буу өткөрүүнүн физикалык ыкмасы (PVT) менен өстүрүлүп, кайра иштетилет.кремний карбид пластинкасы.
① чийки зат синтези. Жогорку тазалыктагы кремний порошок жана жогорку таза көмүртек порошок белгилүү бир катышка ылайык аралаштырып, кремний карбид бөлүкчөлөрү 2,000 ℃ жогору жогорку температурада синтезделген. Майдалоо, тазалоо жана башка процесстерден кийин кристаллдын өсүү талаптарына жооп берген жогорку тазалыктагы кремний карбиди порошок чийки заты даярдалат.
② Кристаллдын өсүшү. чийки зат катары жогорку тазалыктагы SIC порошок колдонуу, кристалл өзүн-өзү өнүккөн кристалл өстүрүүчү мештин жардамы менен физикалык буу өткөрүп (PVT) ыкмасы менен өстүрүлгөн.
③ куйма иштетүү. Алынган кремний карбидинин кристалл куймасы рентгендик монокристалл ориентатору менен ориентацияланган, андан кийин майдаланган жана прокатка алынган жана стандарттуу диаметрдеги кремний карбидинин кристаллына иштетилген.
④ Кристалл кесүү. Көп линиялуу кесүүчү жабдууларды колдонуу менен кремний карбидинин кристаллдары калыңдыгы 1 ммден ашпаган жука барактарга кесилет.
⑤ Чипти майдалоо. Вафли ар кандай бөлүкчөлөрдүн өлчөмүндөгү алмазды майдалоочу суюктуктар менен каалаган тегиздикке жана оройлукка чейин майдаланат.
⑥ Чипти жылмалоо. Бетине зыян келтирбестен жылмаланган кремний карбиди механикалык жылмалоо жана химиялык механикалык жылмалоо жолу менен алынган.
⑦ Чипти аныктоо. Оптикалык микроскопту, рентгендик дифрактометрди, атомдук күч микроскобун, контактсыз каршылыкты текшергичти, беттин тегиздигин текшергичти, беттик дефекттин комплекстүү текшерүүчүсүн жана башка приборлорду жана жабдууларды микротүтүкчөлөрдүн тыгыздыгын, кристаллдын сапатын, бетинин тегиздигин, каршылыгын, ийрилүүлүгүн, калыңдыгынын өзгөрүшү, беттик чийик жана кремний карбид пластинкасынын башка параметрлери. Буга ылайык, чиптин сапаттык деңгээли аныкталат.
⑧ Чипти тазалоо. Кремний карбидинин жылтыратуу барагы тазалоочу агент жана таза суу менен таза суу менен тазаланып, жылтыратуучу баракта калган жылтыратуу суюктугун жана башка жер үстүндөгү кирди кетирет, андан кийин пластинка өтө жогорку тазалыктагы азот жана кургатуу машинасы менен үйлөп, кургак чайкалат; Вафли супер-таза камерада таза барак кутусуна капсулдалып, ылдый жактагы колдонууга даяр кремний карбид пластинкасын түзөт.
Чиптин көлөмү канчалык чоң болсо, тиешелүү кристаллдын өсүшү жана кайра иштетүү технологиясы ошончолук кыйыныраак жана ылдыйкы агымдагы аппараттардын өндүрүшүнүн натыйжалуулугу ошончолук жогору болсо, бирдиктин баасы ошончолук төмөн болот.
Посттун убактысы: 24-ноябрь, 2023-жыл