Графит негизи үчүн SiC капталган процесс. SiC капталган графит ташыгычтар

Колдонууда биз абдан жакын толеранттуулукту сактайбызSiC каптоо, бирдиктүү suceptor профилин камсыз кылуу үчүн жогорку тактык иштетүү колдонуу.Биз ошондой эле индуктивдүү жылытылган системаларда колдонуу үчүн идеалдуу электрдик каршылык касиеттери бар материалдарды чыгарабыз.Бардык даяр компоненттер тазалык жана өлчөмдүү шайкештик сертификаты менен келет.

Биздин компания камсыз кылатSiC каптоокөмүртек жана кремний камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине чөккөн, SIC коргоочу катмарын түзүүчү молекулаларды алуу үчүн графиттин, керамиканын жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен кызмат көрсөтүү.Түзүлгөн SIC графит негизи менен бекем биригип, графиттин негизине өзгөчө касиеттерди берет, ошентип графиттин бетин компакттуу, Porosity-эркин, жогорку температурага, коррозияга жана кычкылданууга туруктуулукка ээ кылат.

CVD процесси өтө жогорку тазалыкты жана теориялык тыгыздыгын камсыз кылатSiC каптооэч кандай көзөнөктүүлүгү менен.Мындан тышкары, кремний карбиди өтө катуу болгондуктан, аны күзгүдөй бетке жылтыратса болот.CVD кремний карбиди (SiC) каптообир нече артыкчылыктарды, анын ичинде ультра жогорку тазалыкты жана өтө эскирүүнү камсыз кылды.Капталган буюмдар жогорку вакуумда жана жогорку температурада мыкты көрсөткүчкө ээ болгондуктан, алар жарым өткөргүч өнөр жайында жана башка өтө таза чөйрөдө колдонуу үчүн идеалдуу.Биз ошондой эле пиролиттик графит (PG) өнүмдөрүн сунуштайбыз.