Description
Биздин компания графит, керамика жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен SiC каптоо процессин камсыздайт, ошондуктан көмүртек жана кремнийди камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине жайгаштырылган молекулаларды, SIC коргоочу катмарын түзүү.
Негизги өзгөчөлүктөрү
1. Жогорку температура кычкылданууга каршылык: кычкылдануу каршылыгы дагы эле абдан жакшы температура 1600 C чейин жогору болуп саналат.
2. Жогорку тазалык : жогорку температурада хлорлоо шартында химиялык буу менен жасалган.
3. Эрозияга туруштук берүү: жогорку катуулук, компакт бети, майда бөлүкчөлөр.
4. Коррозияга туруктуулугу: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
CVD-SIC жабуунун негизги мүнөздөмөлөрү
| SiC-CVD касиеттери | ||
| Кристалл структурасы | FCC β фазасы | |
| тыгыздыгы | г/см³ | 3.21 |
| Катуулугу | Vickers катуулугу | 2500 |
| Дан өлчөмү | мкм | 2~10 |
| Химиялык тазалык | % | 99.99995 |
| Жылуулук сыйымдуулугу | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | МПа (RT 4-пункту) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ийилген, 1300℃) | 430 |
| Термикалык кеңейүү (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылуулук өткөрүмдүүлүк | (Вт/мК) | 300 |
-
Графит жылыткыч ысык зонасы/графит ысык талаа, ca...
-
ICP иштетүү процесстери үчүн SiC пин лотоктору ...
-
SiC эпитаксиалдык жабдуулар үчүн жарым бөлүктөрү
-
Карбид менен капталган реактор баррель реактору
-
Эпитаксиалдык өсүш үчүн SiC капталган графит баррели
-
SiC капталган жарым өткөргүчтүү эпитаксиалдык реактор ...