Description
Биздин компания графит, керамика жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен SiC каптоо процессин камсыздайт, ошондуктан көмүртек жана кремнийди камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине жайгаштырылган молекулаларды, SIC коргоочу катмарын түзүү.
Негизги өзгөчөлүктөрү
1 .Жогорку тазалыктагы SiC капталган графит
2. Жогорку жылуулук каршылык & жылуулук бирдейлиги
3. Жылмакай бет үчүн капталган жакшы SiC кристалл
4. Химиялык тазалоого каршы жогорку туруктуулук
CVD-SIC жабуунун негизги мүнөздөмөлөрү
| SiC-CVD касиеттери | ||
| Кристалл структурасы | FCC β фазасы | |
| тыгыздыгы | г/см³ | 3.21 |
| Катуулугу | Vickers катуулугу | 2500 |
| Дан өлчөмү | мкм | 2~10 |
| Химиялык тазалык | % | 99.99995 |
| Жылуулук сыйымдуулугу | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | МПа (RT 4-пункту) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ийилген, 1300℃) | 430 |
| Термикалык кеңейүү (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылуулук өткөрүмдүүлүк | (Вт/мК) | 300 |
-
Кремнийдин эпитаксиалдык катмары баррлдин сусцепторунда
-
Кремний карбид менен капталган графит сусцептору...
-
Кремний карбид менен капталган эпитаксиалдык реактордун баррели
-
Эпитаксиялык реактор системасында CVD эпитаксиалдык чөкмө
-
Жогорку сапаттагы тантал карбиди (TaC) каптоо
-
Жарым бөлүктөрү барабан продуктылары эпитаксиалдык бөлүгү