Description
Биздин компания камсыз кылатSiC каптоокөмүртек жана кремний камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, молекулаларды графиттин, керамика жана башка материалдардын бетине жайгаштыруу үчүн CVD ыкмасы менен иштетүүкапталганматериалдар, SIC коргоочу катмарын түзүү.
SiC душ баштарынын мүнөздөмөлөрү төмөнкүдөй:
1. Коррозияга каршылык: SiC материалы дат басууга эң сонун туруштук берет жана ар кандай химиялык суюктуктардын жана эритмелердин эрозиясына туруштук бере алат жана ар кандай химиялык кайра иштетүү жана жер үстүндөгү тазалоо процесстерине ылайыктуу.
2. Жогорку температуранын туруктуулугу:SiC учтарыжогорку температуралык чөйрөдө структуралык туруктуулукту сактай алат жана жогорку температурада дарылоону талап кылган колдонмолор үчүн ылайыктуу.
3. Бир калыпта чачуу:SiC соплодизайн суюктуктун бир калыпта бөлүштүрүлүшүнө жетишүүгө жана тазалоо суюктугунун максаттуу бетинде тегиз жабылышын камсыз кыла турган жакшы чачуу контролуна ээ.
4. Жогорку эскирүүгө каршылык: SiC материалы жогорку катуулук жана эскирүү каршылыгына ээ жана узак мөөнөттүү колдонууга жана сүрүлүүгө туруштук бере алат.
SiC душ баштары жарым өткөргүч өндүрүшүндө, химиялык кайра иштетүүдө, беттик каптоодо, электропластикада жана башка өнөр жай тармактарында суюктук тазалоо процесстеринде кеңири колдонулат. Бул кайра иштетүү жана дарылоо сапатын жана ырааттуулугун камсыз кылуу үчүн туруктуу, бирдиктүү жана ишенимдүү чачуу таасирин камсыз кыла алат.
Негизги өзгөчөлүктөрү
1. Жогорку температурадагы кычкылданууга каршылык:
кычкылданууга каршылык температура 1600 С чейин жогору болсо дагы абдан жакшы.
2. Жогорку тазалык: жогорку температурада хлордоо шартында химиялык буу коюу жолу менен жасалган.
3. Эрозияга туруштук берүү: жогорку катуулук, компакт бети, майда бөлүкчөлөр.
4. Коррозияга туруктуулугу: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
CVD-SIC жабуунун негизги мүнөздөмөлөрү
| SiC-CVD касиеттери | ||
| Кристалл структурасы | FCC β фазасы | |
| тыгыздыгы | г/см³ | 3.21 |
| Катуулугу | Викерс катуулугу | 2500 |
| Дан өлчөмү | мкм | 2~10 |
| Химиялык тазалык | % | 99.99995 |
| Жылуулук сыйымдуулугу | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | МПа (RT 4-пункту) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ийилген, 1300℃) | 430 |
| Термикалык кеңейүү (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылуулук өткөрүмдүүлүк | (Вт/мК) | 300 |
-
Кремний карбид кабыгы бар графиттин сезгичтери...
-
41 даана 4 дюймдук графит базасы MOCVD жабдуулары ...
-
Кремний негизиндеги GaN эпитаксиси
-
Өркүндөтүлгөн материалды кесүү, микро реактивдүү лазердик процесс...
-
Эпитаксиянын төмөнкү бөлүктөрү үчүн экинчи жарым бөлүктөрү...
-
ALD атомдук катмарын жайгаштыруу Планетардык сусцептор