Кремний пластинкасынын термикалык кычкыл катмары – бул кремний пластинкасынын жылаңач бетинде кычкылдандыргыч зат менен жогорку температуралык шарттарда пайда болгон оксиддик катмар же кремний катмары.Кремний пластинкасынын термикалык кычкыл катмары, адатта, горизонталдуу түтүк мешинде өстүрүлөт жана өсүү температурасынын диапазону жалпысынан 900 ° C ~ 1200 ° C болуп саналат жана "нымдуу кычкылдануу" жана "кургак кычкылдануу" эки өсүү режими бар.Термикалык кычкыл катмары - бул CVD депонирленген оксид катмарына караганда бир тектүүлүгү жана диэлектрдик күчү жогору болгон "өстүрүлгөн" оксид катмары.Жылуулук кычкыл катмары изолятор катары эң сонун диэлектрдик катмар болуп саналат.Кремнийге негизделген көптөгөн түзүлүштөрдө жылуулук оксид катмары допинг блоктоочу катмар жана беттик диэлектрик катары маанилүү ролду ойнойт.
Кеңештер: кычкылдануу түрү
1. Кургак кычкылдануу
Кремний кычкылтек менен реакцияга кирип, оксид катмары базалдык катмарды көздөй жылат.Кургак кычкылдануу 850 1200 ° C температурада жүргүзүлүшү керек, ал эми өсүү темпи MOS жылуулоо дарбаза өсүшү үчүн колдонулушу мүмкүн төмөн.Жогорку сапаттагы, ультра жука кремний кычкыл катмары талап кылынганда, нымдуу кычкылданууга караганда кургак кычкылдануу артык.
Кургак кычкылдануу кубаттуулугу: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. Нымдуу кычкылдануу
Бул ыкма суутек менен жогорку тазалыктагы кычкылтектин аралашмасын ~1000°Cде күйгүзүү үчүн колдонот, ошентип суу буусу кычкыл катмарын пайда кылат.Нымдуу кычкылдануу кургак кычкылдануу сыяктуу жогорку сапаттагы кычкылдануу катмарын түзө албаса да, обочолонуу зонасы катары колдонулушу үчүн жетиштүү, кургак кычкылдануу менен салыштырганда анын өсүү темпи жогору экендигинде айкын артыкчылыгы бар.
Нымдуу кычкылдануу сыйымдуулугу: 50нм ~ 15µm (500A ~15µm)
3. Кургак ыкма - нымдуу ыкма - кургак ыкма
Бул ыкмада кычкылдануу мешине баштапкы этапта таза кургак кычкылтек чыгарылат, кычкылдануунун ортосуна суутек кошулат жана суутек таза кургак кычкылтек менен кычкылданууну улантуу үчүн акырында сакталат. суу буусу түрүндө таралган нымдуу кычкылдануу процесси.
4. TEOS кычкылдануусу
| Кычкылдануу техникасы | Нымдуу кычкылдануу же Кургак кычкылдануу |
| Диаметри | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Оксид Калыңдыгы | 100 Å ~ 15µm |
| Сабырдуулук | +/- 5% |
| Surface | Бир тараптуу кычкылдануу (SSO) / Эки тараптуу кычкылдануу (DSO) |
| Меш | Горизонталдык түтүк меш |
| Газ | Суутек жана кычкылтек газы |
| Температура | 900℃ ~ 1200 ℃ |
| Сынуу көрсөткүчү | 1.456 |
