Продукт Description
Биздин компания камсыз кылатSiC каптоокөмүртек жана кремний камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине жайгаштырылган молекулаларды алуу үчүн графиттин, керамиканын жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен тейлөө кызматтарын көрсөтөт.SIC коргоочу катмар.
Негизги өзгөчөлүктөрү:
1. Жогорку температурадагы кычкылданууга каршылык:
кычкылданууга каршылык температура 1600 С чейин жогору болсо дагы абдан жакшы.
2. Жогорку тазалык : жогорку температурада хлорлоо шартында химиялык буу менен жасалган.
3. Эрозияга туруштук берүү: жогорку катуулук, компакт бети, майда бөлүкчөлөр.
4. Коррозияга туруктуулугу: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
CVD-SIC жабуунун негизги мүнөздөмөлөрү
| SiC-CVD касиеттери | ||
| Кристалл структурасы | FCC β фазасы | |
| тыгыздыгы | г/см³ | 3.21 |
| Катуулугу | Vickers катуулугу | 2500 |
| Дан өлчөмү | мкм | 2~10 |
| Химиялык тазалык | % | 99.99995 |
| Жылуулук сыйымдуулугу | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | МПа (RT 4-пункту) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ийилген, 1300℃) | 430 |
| Термикалык кеңейүү (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылуулук өткөрүмдүүлүк | (Вт/мК) | 300 |
-
Жогорку температурадагы SiC капталган эпитаксиалдык реактор Б...
-
Эпитаксиалдык өсүш үчүн SiC капталган графит баррели
-
LMJ microjet лазердик технологиялык жабдуулар
-
SiC капталган жарым өткөргүчтүү эпитаксиалдык реактор ...
-
Графит жылыткыч ысык зонасы/графит ысык талаа, ca...
-
Реакция агломерацияланган кремний карбид пластинкасы